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用于制备一种氧稳定氟化钇薄膜

       氟化钇薄膜具有较低的折射率(折射率约为1.4)，较宽的透过波段(0.35～12μm)，和其他氟化物(氟化钡，氟化钙等)相比具有较高的硬度，使得薄膜广泛用于各种衬底上的增透膜的设计。

       常用制备薄膜的方法为热蒸发沉积法，离子、电子束辅助 蒸发沉积法，化学法等。磁控溅射技术是一种低温高速薄膜沉积技术，广泛应用于工业生产和科学研究中，但是利用磁控溅射技术采用氟化钇靶材来制备薄膜时，易使得阴离子氟离子流失，吸收增大，折射率畸变，功能失效，同时薄膜的内应力失稳，极易使得 薄膜破裂脱落与破裂，导致结构失效。

       缺氟会导致的光学常数的变形，一般采取反应气体来补充氟离子，如果采取氟气，则有剧毒。如果采用全氟化碳则会在薄膜中引入C等杂质离子，严重恶化薄膜的光学性能。

制备方法按以下步骤实现：

       1、将ZnS衬底用CH3COCH3超声波清洗15～30min，用酒精清洗15～30min，然后用去离子水清洗30min，再将ZnS衬底置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空至真空度为 1.0×10-4～9.9×10-4Pa，然后加热至25～1000℃并保温30～120min；

       2、向真空仓通入Ar 气至真空仓内压强为3～5Pa，对ZnS衬底表面进行反溅清洗10～20min；

       3、反溅清洗后，施加溅射功率，溅射功率为60～500瓦，预溅射20～50min，然后开启O2流量剂开关，O2流量控制在1sccm～100sccm，至真空仓内气体压强为0.1～2Pa后向ZnS衬底表面镀膜，镀膜1～3h后关闭O2流量剂开关，继续镀膜10～300min；

       4、镀膜完成后抽真空 到2.0×10-4Pa并升温至200～1000℃，保温2～5h，待真空仓内温度降至室温，即完成氧稳定氟化钇薄膜的制备。